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工業(yè)存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商——研華科技，近日推出了 SQFlash EDSFF 和 EU-2 PCIe Gen5 x4 SSD，旨在滿足下一代企業(yè)和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的需求。

截至 2024 年，PCIe Gen4 解決方案占據(jù)了 50% 的市場(chǎng)份額，而 PCIe Gen5 產(chǎn)品正在多種應(yīng)用中迅速普及。在 PCIe 存儲(chǔ)產(chǎn)品中，U.2、E3.S 和 E1.S 等外形規(guī)格正推動(dòng)市場(chǎng)增長(zhǎng)。基于 EDSFF 標(biāo)準(zhǔn)的 SQFlash E1.S SSD，連續(xù)讀寫(xiě)速度分別高達(dá) 14,000 MB/s 和 8,500 MB/s，具備可擴(kuò)展性、高效能和功耗優(yōu)化等出色性能。與此同時(shí)，SQFlash EU-2 PCIe Gen5 x4 SSD采用前沿的 PCIe 5.0 技術(shù)，在速度、可靠性和散熱管理方面有新突破，是數(shù)據(jù)中心、企業(yè)計(jì)算、實(shí)時(shí)分析和 AI 計(jì)算等應(yīng)用中的理想選擇。這些新解決方案展現(xiàn)了研華對(duì)推進(jìn)高性能存儲(chǔ)技術(shù)用于現(xiàn)代計(jì)算環(huán)境的承諾。

高速讀寫(xiě)性能

EDSFF SQFlash EU-2 U.2 & E3.S SSD是新一代高性能存儲(chǔ)解決方案，旨在滿足超大規(guī)模、企業(yè)和數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用的需求。

E1.S 外形規(guī)格比傳統(tǒng) M.2 SSD更具靈活性，功耗預(yù)算更高。M.2 SSD通常支持高達(dá) 12W，而 E1.S 支持高達(dá) 20W，能夠充分利用 PCIe 4.0（16 GT/s x4）、PCIe 5.0（32 GT/s x4）甚至 PCIe 6.0（64 GT/s x4）帶寬，具體取決于驅(qū)動(dòng)器容量。這種增強(qiáng)的功耗能力和性能使 E1.S 成為需要強(qiáng)大可擴(kuò)展性和高性能的超大規(guī)模和企業(yè)環(huán)境的理想選擇。

SQFlash EU-2 U.2 和 E3.S SSD利用 PCIe Gen5 x4 接口，提供出色性能，順序讀取速度高達(dá) 14,000 MB/s，寫(xiě)入速度高達(dá) 8,500 MB/s，是 Gen4 SSD速度的兩倍。

基于目前最新的 NVMe 2.0 協(xié)議，這些SSD充分優(yōu)化了 PCIe Gen5 帶寬，確保與主機(jī)系統(tǒng)的高效高速通信。這減少了延遲，加快了數(shù)據(jù)傳輸速度，提高了系統(tǒng)的整體響應(yīng)能力。

這些先進(jìn)的存儲(chǔ)解決方案為速度、可擴(kuò)展性和功耗效率設(shè)定了新的基準(zhǔn)，滿足現(xiàn)代計(jì)算環(huán)境的嚴(yán)格需求。

支持熱插拔

與傳統(tǒng)的 M.2 SSD不同，后者需要關(guān)閉整個(gè)服務(wù)器并從機(jī)架中取出才能更換，EDSFF（E1.S & E3.S）SSD支持從服務(wù)器正面直接熱插拔，無(wú)需完全關(guān)機(jī)。這一特性顯著增強(qiáng)了可維護(hù)性，并在維護(hù)期間節(jié)省了寶貴的時(shí)間。

更高容量

SQFlash EU-2 SSD EDSFF 外形規(guī)格展示了存儲(chǔ)設(shè)計(jì)的進(jìn)步，提供了高效能的高容量，以滿足現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心和企業(yè)應(yīng)用的需求。

E1.S 外形規(guī)格旨在最大化閃存內(nèi)存的空間利用率，從而實(shí)現(xiàn)更高容量的SSD。其尺寸為寬 33.75 mm x長(zhǎng) 118.75 mm，比標(biāo)準(zhǔn) M.2 SSD（寬 22 mm，x長(zhǎng) 110 mm）更大。這種增加的尺寸使 E1.S 能夠容納更多的閃存芯片，這些芯片可以垂直排列在 1U 機(jī)箱內(nèi)，提供更高的存儲(chǔ)密度和可擴(kuò)展性。

SQFlash EU-2 SSD專(zhuān)為高效能而設(shè)計(jì)，在空閑模式下功耗不到 9W，同時(shí)保持高性能。它具有先進(jìn)的電源管理功能，包括低功耗狀態(tài)和動(dòng)態(tài)功耗調(diào)節(jié)，這些功能會(huì)根據(jù)工作負(fù)載需求調(diào)整能源使用。這種高效能使得 SQFlash EU-2 成為大規(guī)模數(shù)據(jù)中心和其他減少功耗至關(guān)重要的環(huán)境的理想解決方案。

這些進(jìn)步在性能、容量和高效能之間取得了平衡，為高需求應(yīng)用設(shè)定了存儲(chǔ)解決方案的新基準(zhǔn)。

該系統(tǒng)支持 NVMe 2.0 單端口操作，提供高兼容性和易于與現(xiàn)有系統(tǒng)集成。企業(yè)功能如命名空間和保留增強(qiáng)了數(shù)據(jù)管理和安全性，使多個(gè)用戶能夠安全高效地訪問(wèn)和管理數(shù)據(jù)。元數(shù)據(jù)保護(hù)確保了數(shù)據(jù)完整性和安全性，這對(duì)于處理敏感信息的企業(yè)應(yīng)用至關(guān)重要。

SQFlash EU-2 系列（U.2、E3.S & E1.S）中的每個(gè)產(chǎn)品都支持熱插拔機(jī)制，有效降低了系統(tǒng)停機(jī)成本。

關(guān)鍵特性

• 支持熱插拔：無(wú)需關(guān)閉整個(gè)服務(wù)器即可更換SSD。
• 功耗預(yù)算增強(qiáng)：為 M.2 設(shè)備提供額外的功耗，確保完整的 PCIe 性能，讀取速度高達(dá) 14,000 MB/s，寫(xiě)入速度高達(dá) 8,600 MB/s。
• PLP斷電保護(hù)：采用超級(jí)電容器保護(hù)數(shù)據(jù)，在斷電時(shí)將數(shù)據(jù)從 DRAM 轉(zhuǎn)移到 NAND 閃存。
• 內(nèi)容創(chuàng)作：通過(guò)快速訪問(wèn)大型文件和減少渲染時(shí)間，加速視頻編輯、圖形設(shè)計(jì)和其他創(chuàng)意應(yīng)用的工作流程。
• 數(shù)據(jù)分析：提供實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)處理和分析所需的速度和容量，支持高級(jí)分析和機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用
• 企業(yè)存儲(chǔ)：為企業(yè)級(jí)應(yīng)用提供強(qiáng)大可靠的存儲(chǔ)解決方案，確保關(guān)鍵任務(wù)操作的高可用性和數(shù)據(jù)完整性。

研華930L Gen4 x4 E1.S 和 EU-2 Gen5 x4 U.2、E1.S、E3.S 解決方案將從 2025 年 1 月開(kāi)始上市。有關(guān) SQF EU-2 或其他研華產(chǎn)品和服務(wù)的更多信息，請(qǐng)咨詢(xún)研華嵌入式服務(wù)專(zhuān)線400-001-9088.