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2025年3月18日，致力于亞太地區市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，其旗下友尚推出基于達爾科技（Diodes）AP3306、APR3401和AP43771H控制器的140W PD3.1 GaN充電器方案。

圖示1-大聯大友尚基于Diodes產品的140W PD3.1 GaN充電器方案的展示板圖

如今，智能設備的高功率快充技術已成為消費者普遍關注的焦點。在此背景下，氮化鎵作為一種新興半導體材料，憑借卓越的能量轉換效率、快速響應能力以及低熱損耗特性，正逐漸成為快充領域的新寵。與此同時，USB PD3.1協議的發布更是將充電效率提升到一個新的層次，該協議不僅顯著提高充電功率，還引入多電壓檔位，使快充技術更加靈活多變，從而滿足各類智能設備的充電需求。鑒于此趨勢，大聯大友尚基于Diodes AP3306、APR3401和AP43771H控制器推出140W PD3.1 GaN充電器方案，采用獲得專利的ACF拓撲，滿足DOE VI和COC Tier 2效率要求。并且該方案支持PD3.1功能和AVS 28V，步長為100mV，可降低整體BOM成本。

圖示2-大聯大友尚基于Diodes產品的140W PD3.1 GaN充電器方案的場景應用圖

本方案由AP3306、APR3401和AP43771H三個主控制器組成。其中，AP3306是一款高度集成的有源箝位反激（ACF）控制器，主要針對離線電源優化設計，可滿足超低待機功耗、高功率密度和全面保護的需求。APR3401是次級側同步整流（SR）控制器，它可用作同步的次級側MOSFET驅動器DCM操作中的整流，為方案有效降低次級側整流器功耗并提供高性能。

AP43771H是一種協定解碼器，負責通過連接的配備USB Type-C®的充電設備（DUC）匹配相關的充電器容量和請求，并調節充電器的反饋網絡，以滿足DUC的電壓和電流要求。除此之外，方案還采用氮化鎵（GaN）FET進一步提升充電效率和熱性能。

圖示3-大聯大友尚基于Diodes產品的140W PD3.1 GaN充電器方案的方塊圖

達爾科技（Diodes）是業內先進的半導體制造及供應商，可為消費電子、計算、通信、工業和汽車市場提供高質量半導體產品。此次大聯大友尚基于Diodes產品的140W PD3.1 GaN充電器方案，具有高性價比與高功率密度，可幫助廠商快速完成大功率快充產品設計。

核心技術優勢：

AP3306主要特性：

• 具有回收漏電能量和零電壓開關功能的有源鉗位反激式拓撲；
• 高壓啟動，用于VCCL引腳的嵌入式VCC LDO，可保證寬范圍輸出電壓；
• 在輸出短路情況下保持恒定的低輸出電流；
• 無聲雜訊準諧振控制；
• 啟動過程中的軟啟動，頻率折返以實現高平均效率；
• 具有FOCP的次級繞組短路保護，用于降低EMI的頻率抖動X-CAP放電功能；
• 有用的Pin故障保護：SENSE引腳浮動保護/FB/光耦合器開路/短路保護；
• 全面的系統保護功能：VOVP/OLP/BNO/SOVP/SSCP。

APR3401主要特點：

• 同步整流適用于DCM/QR/ACF操作模式；
• 消除諧振振鈴干擾；
• 使用的外部元件最少。

AP43771H主要特點：

• 支持USB PD Rev 3.1，用于系統配置的MTP主固件的OTP；
• 工作電壓范圍：3.3V至28V用于CV和CC控制的內置穩壓器；
• 可程式設計OVP/UVP/OCP/OTP，支持省電模式；
• 用于VBUS供電的外部N-MOSFET控制；
• 支持e-Marker電纜檢測W-DFN3030-14封裝。

方案規格：

主電源規格：

輸入電壓：90Vac~ 264Vac；

輸入待機功率：<80Mw；

主輸出：5V/3A、9V/3A、15V/3A、20V/3A、28V/5A；

效率：DOE VI 和 COC Tier 2；

支持最大輸出：140W PD3.1；

保護：OCP、VP、UVP、OLP、OTP、SCP；

尺寸：

PCB：84mm×55mm×23mm；

Case：88mm×59mm×27mm；

功率密度指數：1W/CC。