|
1 引言
光柵數(shù)顯系統(tǒng)主要用于普通機(jī)床，可直接顯示機(jī)床加丁的長(zhǎng)度值，有助于提高加工精度和效率。目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上的光柵數(shù)顯系統(tǒng)大多采用國(guó)外集成電路實(shí)現(xiàn)，研發(fā)成本高，且不便于操作人員使用。
針對(duì)這種狀況，研發(fā)了基于MCU+CPLD的新型光柵數(shù)顯系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有計(jì)數(shù)精度高、成本低、操作方便以及升級(jí)快等特點(diǎn)，能夠處理高達(dá)5 MHz／s的正交脈沖，并在掉電時(shí)有效存儲(chǔ)當(dāng)前長(zhǎng)度值，其數(shù)碼管可顯示關(guān)鍵的長(zhǎng)度值，點(diǎn)陣式液晶屏還可顯示相關(guān)的提示信息。
2 系統(tǒng)工作原理
利用CPLD實(shí)現(xiàn)正交脈沖處理邏輯電路，而可逆計(jì)數(shù)器則用于處理計(jì)數(shù)光柵尺輸出的正交脈沖，CPLD的高速并行處理能力可保證光柵尺輸出信號(hào)無遺漏采樣，從而確保計(jì)數(shù)的可靠性。可逆計(jì)數(shù)器的值通過MCU一系列運(yùn)算后轉(zhuǎn)換為機(jī)床加工的長(zhǎng)度值、MCU再將其長(zhǎng)度值回送至CPLD并在數(shù)碼管上顯示。
此外，CPLD還具有7×8鍵盤按鍵檢測(cè)和去抖功能，將處理后的可靠按鍵送至MCU。MCU主要用于液晶屏的顯示控制、掉電數(shù)據(jù)保存，以及復(fù)雜的數(shù)學(xué)運(yùn)算。
3 正交脈沖信號(hào)采集處理
3．1 正交脈沖采集
光柵尺輸出一組正交脈沖信號(hào)，即相位差為90°的兩路方波，如圖2所示。當(dāng)光柵尺正向移動(dòng)一個(gè)柵距時(shí)，光柵尺輸出一個(gè)00—01一11—10—00循環(huán)，A路方波相位超前于B路90°；當(dāng)光柵尺反向移動(dòng)一個(gè)柵距時(shí)，光柵傳感器輸出一個(gè)00—10一11一01一00循環(huán)，A路方波相位滯后B路90°。
分析A，B兩路方波的邏輯狀態(tài)發(fā)現(xiàn)A，B兩路方波在任意時(shí)刻下只有一路信號(hào)發(fā)生邏輯狀態(tài)變化。如果在邏輯狀態(tài)變化前A，B兩路的狀態(tài)相同，那么變化后的邏輯狀態(tài)肯定相異；如果變化前A，B兩路方波邏輯狀態(tài)相異，那么變化后邏輯狀態(tài)肯定相同。只需對(duì)這兩路信號(hào)異或，就能提取光柵尺運(yùn)動(dòng)的方向信號(hào)updown以及與運(yùn)動(dòng)距離成正比的計(jì)數(shù)脈沖cp。光柵尺移動(dòng)一個(gè)柵距將輸出4個(gè)cp脈沖，系統(tǒng)測(cè)量的最小分辨率提高至1／4柵距，通常稱為四裂相或四倍頻。CPLD在每個(gè)clk的上升沿檢測(cè)A，B兩路方波的狀態(tài)，首先分別對(duì)當(dāng)前檢測(cè)的狀態(tài)A0，B0和上次檢測(cè)的狀態(tài)A1，B1相異或，然后將兩次異或值再異或。如果最后異或值為1，則說明A，B兩路方波發(fā)生變化，則向可逆計(jì)數(shù)器輸入一個(gè)高電平寬度為1個(gè)clk周期的計(jì)數(shù)脈沖cp，
3．2 可逆計(jì)數(shù)器
將提取的方向信號(hào)updown和計(jì)數(shù)脈沖cp輸入至可逆計(jì)數(shù)器，實(shí)現(xiàn)對(duì)光柵尺輸出的正交脈沖計(jì)數(shù)。可逆計(jì)數(shù)器模塊的VHDL程序如下：
3．3 clk的取值
由于CPLD的采樣時(shí)鐘clk必須大于8倍光柵尺輸出的正交脈沖，因此系統(tǒng)不會(huì)丟失信號(hào)。該系統(tǒng)設(shè)計(jì)使用40 MHz有源晶體振蕩器作為CPLD的采樣時(shí)鐘源，可記錄的最大光柵傳感器輸出信號(hào)頻率為5 MHz。如果使用50線／mm的光柵尺，經(jīng)過CPLD的四裂相細(xì)分后，計(jì)算該光柵尺接該系統(tǒng)的最大不漏數(shù)加工速度為20 μmx5 MHz=100 m／s，最小分辨率為5μm。遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出機(jī)床運(yùn)行的極限速度，完全滿足實(shí)際需求。
3．4 EPM240簡(jiǎn)介
選用Altera公司的EPM240作為CPLD，EPM240是MAX Ⅱ系列器件中的一員。MAX Ⅱ CPLD系列的體系結(jié)構(gòu)使其在所有CPLD系列器件的單位I／O引腳的功耗和成本最低；支持高達(dá)300 MHz的內(nèi)部時(shí)鐘頻率，面向通用低密度邏輯應(yīng)用，MAX Ⅱ CPLD可替代高功耗和高成本 ASSP 以及標(biāo)準(zhǔn)邏輯CPLD。
EPM240含有240個(gè)邏輯單元(LE)，等效于192個(gè)宏單元；8 192 bit的用戶Flash存儲(chǔ)器，可滿足用戶小容量信息存儲(chǔ)要求：最大用戶I／O數(shù)為80，最快速度為
4．5 ns，完全滿足系統(tǒng)設(shè)計(jì)要求。
4 MCU掉電數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
掉電數(shù)據(jù)存儲(chǔ)是系統(tǒng)設(shè)計(jì)的另一重要功能，要求高可靠性。系統(tǒng)在掉電時(shí)應(yīng)保存光柵尺的當(dāng)前位置信息，下次開機(jī)時(shí)通過調(diào)用上次掉電時(shí)保存的位置信息恢復(fù)系統(tǒng)。因此，掉電瞬間，掉電報(bào)警電路將迅速響應(yīng)．向MCU_ 發(fā)出報(bào)警信號(hào)；MCU檢測(cè)到報(bào)警信號(hào)后，馬上進(jìn)行相應(yīng)處理，將當(dāng)時(shí)光柵尺的當(dāng)前位置信息存入EEPROM。
為了提高M(jìn)CU的掉電響應(yīng)速度，增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性，系統(tǒng)設(shè)計(jì)采用新的增強(qiáng)型51單片機(jī)STC-89C516RD。該器件具有1 KB RAM和高達(dá)64 KB大容量ROM，ISP 功能，指令周期有6clock和12clock兩種可選模式。使用20 MHz晶體振蕩器，采用6clock模式燒寫時(shí)，單指令周期的程序執(zhí)行時(shí)問僅為0．3μs，比普通51單片機(jī)在最高24 MHz晶體振蕩器下的運(yùn)行速度要快得多。因此，大大縮短了掉電數(shù)據(jù)存儲(chǔ)程序的執(zhí)行時(shí)間。
4．1 掉電報(bào)警電路
選用超小型高精度電壓檢測(cè)器S80848，內(nèi)部檢測(cè)電壓固定為4．8 V，精度為±2％，最大響應(yīng)時(shí)間為60μs。S80848采用標(biāo)準(zhǔn)5 V供電，電源正常時(shí)輸出高電平；當(dāng)電源電壓降至4．8 V時(shí)，則輸出低電平。將S80848的輸出腳連接至MCU 的INT0，并將MCU的INT0設(shè)置為電平觸發(fā)。因此，電源電壓只要低于4．8 V就會(huì)使MCU進(jìn)入INT0中斷，MCU在中斷程序中保存位置信息。
4．2 EEPROM選取
當(dāng)MCU對(duì)EEPROM的寫操作完成后，EEP-ROM需用10 ms的最大自寫入時(shí)間將信息寫入存儲(chǔ)單元。為了使用更多的時(shí)間用于EEPROM自寫入，選用低壓EEPROM，即AT24C64—2．7 V，其工作電壓為5．5 V～2．7 V，容量為64 KB，每頁為32 B，最大寫入次數(shù)為1 000 000 。
4．3 掉電時(shí)間計(jì)算
選用工作電壓為4．5 V～5．5 V的STC89C516RD，當(dāng)電源電壓降至4．5 V以下時(shí)，MCU不能可靠工作。MCU的INT0的中斷服務(wù)程序只能使用電源電壓從4．8 V降至4．5 V的這段時(shí)間，所有處理必須在該段時(shí)間內(nèi)完成。因此中斷程序設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)盡量考慮使其執(zhí)行時(shí)間最短，中斷應(yīng)先將所有存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)存入一個(gè)數(shù)組，然后將該數(shù)組的所有元素寫入AT24C64，當(dāng)然該數(shù)組的元素?cái)?shù)必須小于AT24C64一頁的長(zhǎng)度．即必須小于32 B。
當(dāng)輸出電壓為5 V時(shí)，最大電流為，Imax=0．8 A，等效負(fù)載R=5／I=6．25 Ω，與5 V電源并聯(lián)的電容C=4700μF，則系統(tǒng)時(shí)間常數(shù)為丁：τ=RC=0．029 s。設(shè)發(fā)生掉電t=0，根據(jù)公式u(t)=Vcc exp(一t/τ)=5 exp(一t／0．029)可知：t=1 183 μs時(shí)，電源電壓Vcc從5 V降至4．8 V；t=3 055μs時(shí)，Vcc降至4．5 V；t=17 869μs時(shí)，Vcc降到2．7 V。MCU的中斷服務(wù)程序時(shí)間為3 055-1 183=1872μs，故大于實(shí)測(cè)中斷服務(wù)程序時(shí)間1 350μs；EEPROM自寫入有效時(shí)間為17 869-3 055=14 814μs，故完全滿足EEPROM寫入要求。
4．4 中斷服務(wù)程序
為了避免MCU頻繁寫入EEPROM，使用次數(shù)超出最大有效寫入次數(shù)。中斷程序?qū)χ袛噍斎胍_上的電平進(jìn)行必要濾波。濾波算法為：系統(tǒng)進(jìn)入中斷程序后，首先關(guān)閉中斷，然后連續(xù)10次判斷INT0的電平，如果每次判斷得到的電平值都為低，則繼續(xù)往下執(zhí)行中斷服務(wù)程序，只要有一次為高則立即退出中斷服務(wù)程序。完成寫入數(shù)據(jù)，要確保INT0上的低電平解除后再返回中斷，否則等待，直至低電平解除。中斷服務(wù)程序流程圖如圖5所示。
5 結(jié)束語
詳細(xì)介紹光柵數(shù)顯系統(tǒng)設(shè)計(jì)，采用CPLD可大大簡(jiǎn)化系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)，降低系統(tǒng)成本，增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性和靈活性。選用STC89C516RD，可避免擴(kuò)展外部存儲(chǔ)器，從而簡(jiǎn)化單片機(jī)的外圍電路設(shè)計(jì)。
|
