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作者：張娟娟
引言
在高加速度環(huán)境下，由于石英晶體振蕩器本身的機械特性，它在100000g的情況下，自身就有損壞的可能。而硅振蕩器啟動一致和快速，不像RC電路那樣易受到性能欠佳問題的阻擾。標準的硅片制造和組裝技術(shù)意味著，硅振蕩器本身不受沖擊和震動影響，也沒有磨損問題。
為了降低晶振的加速度敏感度，已經(jīng)開展了大量的研究工作，提出了各種改進和補償?shù)姆椒ǎ爬ㄆ饋矸譃閮深悾簾o源法和有源法。
無源法有選用新切型晶體、改進品體結(jié)構(gòu)安裝和加工工藝、雙晶體配對，以及振動隔離措施等。有源法是將振動效應通過傳感器、放大器反饋到振蕩電路或晶體上去，包括控制變?nèi)莨苎a償法和控制晶體極化效應補償法，還有通過單片機控制其電壓來調(diào)節(jié)晶振的頻率。而以上這些方法普遍存在系統(tǒng)復雜、實現(xiàn)困難、限制嚴格等弊端，無法普及推廣。
為此，提出采用硅振蕩器和晶振在高加速度下轉(zhuǎn)換的方法實現(xiàn)兩種振蕩器優(yōu)勢互補，采用頻率合成的方法給出轉(zhuǎn)換的條件，并通過實驗來驗證其可行性。
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