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英飛凌IGBT開關模塊FF300R12KT3_E技術參數
T4芯片是英飛凌第四代IGBT芯片，它是針對中小功率高頻應用場合而優化的。它位于圖的左下角，相對于其他芯片它具有極低的飽和壓降，開關損耗也相對較小，開關速度也比較快，適合高頻軟開關應用，在軟開關逆變焊機20KHz開關頻率下具有最小的總損耗。另外它最高允許工作結溫達到150℃，比DN2和KS4提高了25℃，可以大幅提高溫度安全裕量，是目前最適合軟開關逆變焊機應用的IGBT芯片，可在軟開關逆變焊機中應用的采用T4芯片的IGBT模塊型號有FF100R12MT4,FF150R12MT4,FF200R12MT4, FF200R12KT4, FF300R12KT4等。
DN2芯片是在逆變焊機中使用比較廣泛的一款IGBT芯片，這款芯片開發得比較早，從圖5可以發現，DN2芯片位于圖的右上角，相對于其他一些后續的芯片，它具有比較高的開關損耗和飽和壓降，在20KHz的開關頻率下，它的總損耗相對較大。KS4芯片是一款速度很快的IGBT芯片，它位于圖的右下角，相對于其他芯片，它的飽和壓降高，但它具有最小的開關損耗，在20KHz以上高頻應用領域具有較大的優勢，非常適合高頻應用。
應用范圍：應用UPS、開關電源、變頻器、逆變器、電動車輛、充電機、感應加熱、軌道交通、電焊機以及新興的風力發電、太陽能光伏發電、電動車等新能源行業等領域。
3. 級聯式SVG的IGBT選型
級聯式SVG中，不同電壓的SVG可以使用不同數量的功率單元進行串聯，例如3KV使用4個1700V的功率單元串聯，6KV使用8個1700V的功率單元串聯，10KV使用12個1700V的功率單元串聯。而不同功率等級的SVG可以使用不同型號的IGBT模塊。如何根據功率等級去選取IGBT模塊？第一步,根據經驗對模塊進行初步的選擇，對10KV級聯式SVG的模塊的選型可以參考下表，
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SVG容量
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IGBT型號
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SVG容量
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IGBT型號
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1MW/10KV
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BSM100GB170DLC
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9MW/10KV
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FF800R17KE3
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2MW/10KV
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FF200R17KE3
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10MW/10KV
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FF1000R17IE4
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3MW/10KV
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FF300R17KE3
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11MW/10KV
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FF1000R17IE4
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4MW/10KV
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FF450R17ME4
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12MW/10KV
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FF1000R17IE4
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5MW/10KV
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FF600R17ME4
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13MW/10KV
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FF1400R17IP4
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6MW/10KV
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FF650R17IE4
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14MW/10KV
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FF1400R17IP4
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7MW/10KV
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FF650R17IE4
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15MW/10KV
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FF1400R17IP4
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8MW/10KV
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FF800R17KE3
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