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功率器件作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，擁有非常廣泛的技術(shù)分類以及應(yīng)用場景。例如，傳統(tǒng)的硅基二極管、IGBT和MOSFET等產(chǎn)品經(jīng)過數(shù)十年的發(fā)展，占據(jù)了絕對領(lǐng)先的市場份額。不過，隨著新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、儲(chǔ)能、手機(jī)快充等應(yīng)用的興起，擁有更高耐壓等級、更高開關(guān)頻率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體功率器件逐漸嶄露頭角，獲得了業(yè)界的持續(xù)關(guān)注。
如今，在生產(chǎn)工藝不斷優(yōu)化、成本持續(xù)降低的情況下，老牌大廠與初創(chuàng)企業(yè)紛紛加碼第三代半導(dǎo)體，SiC和GaN功率器件開始投入批量應(yīng)用，并迎來了關(guān)鍵的產(chǎn)能爬坡階段。作為半導(dǎo)體制造業(yè)的關(guān)鍵參與者，業(yè)界領(lǐng)先的ALD設(shè)備制造商和服務(wù)商青島四方思銳智能技術(shù)有限公司日前重磅亮相2021年中國集成電路制造年會(huì)（CICD），向業(yè)界展示了ALD技術(shù)在功率半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)的創(chuàng)新應(yīng)用，共同探討新開局新挑戰(zhàn)下的行業(yè)發(fā)展新機(jī)遇。
思銳智能受邀參加2021年中國集成電路制造年會(huì)
ALD與GaN相得益彰，SRII本地化布局加速中國三代半供應(yīng)鏈構(gòu)建
縱觀第三代半導(dǎo)體功率應(yīng)用，GaN無疑是率先突破的細(xì)分市場。根據(jù)Yole Développement的最新調(diào)研報(bào)告，預(yù)計(jì)2026年全球GaN功率器件的市場規(guī)模將增長至11億美元，年均復(fù)合增長率達(dá)到70%，其中手機(jī)快充等消費(fèi)市場是未來2-3年的主要驅(qū)動(dòng)力，新能源汽車OBC充電器、工業(yè)領(lǐng)域逆變器、數(shù)據(jù)中心高效電源等應(yīng)用則緊隨其后。
在CICD同期舉行的“功率及化合物半導(dǎo)體”專題論壇上，思銳智能總經(jīng)理聶翔先生在演講中表示：“面對來自市場端的巨大需求，無論是外延廠還是Fab都在積極擴(kuò)建當(dāng)前產(chǎn)能。思銳智能作為生產(chǎn)設(shè)備供應(yīng)商，更能深切地體會(huì)到行業(yè)產(chǎn)能擴(kuò)充在過去的1-2年里有著明顯的增速。對此，我們很早就推出了量產(chǎn)型ALD沉積設(shè)備——Transform™系列，廣泛布局本土功率市場，助力中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)能擴(kuò)充需求。不久前，我們成功交付了一套最新的Beneq Transform™ Lite設(shè)備給到中國市場的第三代半導(dǎo)體龍頭客戶，幫助其加速GaN產(chǎn)線的擴(kuò)建。”
聶翔闡述思銳智能在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的廣泛布局
思銳智能近期成功交付Beneq TransformTM Lite設(shè)備
據(jù)了解，思銳智能的先進(jìn)ALD鍍膜工藝可顯著改善GaN器件的綜合性能、并已達(dá)到量產(chǎn)化的要求。而ALD技術(shù)能夠以一個(gè)原子的厚度(0.1nm)為精度實(shí)現(xiàn)基底表面的鍍膜，這是區(qū)別于其他沉積工藝的一大優(yōu)勢，尤其是在復(fù)雜的3D結(jié)構(gòu)上可實(shí)現(xiàn)高保形、高質(zhì)量的薄膜生長，同時(shí)ALD具有較寬的工藝窗口，也支持多種薄膜疊層鍍膜。對于SiC、GaN等功率與化合物材料，其器件3D結(jié)構(gòu)越來越復(fù)雜，對薄膜要求也越來越高，因此ALD技術(shù)成為了該領(lǐng)域的新寵。
產(chǎn)研合作致力創(chuàng)新落地
針對業(yè)界大熱的第三代半導(dǎo)體應(yīng)用，思銳智能不僅在GaN器件的ALD鍍膜上實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)化的解決方案，也在持續(xù)挖掘ALD技術(shù)之于傳統(tǒng)硅基，SiC，GaN器件的創(chuàng)新應(yīng)用潛力。例如，思銳智能旗下子公司Beneq立足于歐洲，已攜手眾多研究機(jī)構(gòu)開展以上這些領(lǐng)域的技術(shù)合作，致力于量產(chǎn)化的創(chuàng)新。“當(dāng)然，我們也非常希望能夠與國內(nèi)的機(jī)構(gòu)或者行業(yè)客戶一起開展聯(lián)合研發(fā)工作，通過采用基于ALD技術(shù)的創(chuàng)新應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)提升器件性能以及易于量產(chǎn)的目的。”聶翔表示。
25片8寸晶圓的batch工藝條件下的產(chǎn)能情況，基于完全真實(shí)的cycle time和GPC、WiW、WtW，指標(biāo)完全滿足spec要求
與此同時(shí)，思銳智能正在不斷拓展旗下Beneq Transform™系列產(chǎn)品，進(jìn)而應(yīng)對愈加復(fù)雜的半導(dǎo)體鍍膜需求，全面對標(biāo)集成電路、功率與化合物半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體應(yīng)用。自2019年起，在歐洲，美國、日本、中國大陸和臺(tái)灣地區(qū)內(nèi)全球知名的半導(dǎo)體客戶量產(chǎn)線上投入使用，有著充分驗(yàn)證的工藝穩(wěn)定性和設(shè)備穩(wěn)定性。同時(shí)，可以提供行業(yè)最完善的成熟量產(chǎn)工藝包，涵蓋各類氧化物、氮化物等。截至目前，Transform™系列產(chǎn)品已獲得全球多個(gè)客戶的訂單。
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