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• 安森美與上能電氣達(dá)成新的設(shè)計(jì)合作，為其430kW液冷儲(chǔ)能系統(tǒng)與320kW光伏逆變器提供支持
• 安森美最新一代PIM提升0.1%的能效，從而使逆變器系統(tǒng)級(jí)的功率重量比性能提升32%
• 該混合PIM采用高密度F5BP封裝，集成FS7絕緣柵雙極晶體管與EliteSiC技術(shù)，可降低達(dá)8%的功率損耗、10%的開(kāi)關(guān)損耗，并提升功率密度

2026年3月31日 安森美（onsemi）宣布，其混合功率集成模塊（PIM）將應(yīng)用于上能電氣下一代430kW液冷儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）以及320kW公用事業(yè)級(jí)光伏組串式逆變器。這一設(shè)計(jì)合作進(jìn)一步鞏固了安森美與上能電氣之間的長(zhǎng)期合作關(guān)系，為快速增長(zhǎng)的可再生能源與人工智能（AI）基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)提供高性能、面向未來(lái)的解決方案。

行業(yè)領(lǐng)先的功率模塊技術(shù)

上能電氣新平臺(tái)的核心——安森美最新一代集成FS7絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和碳化硅（SiC）的混合功率集成模塊（PIM），采用F5BP封裝，旨在提升公用事業(yè)級(jí)光伏組串式逆變器與儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）的輸出功率。與前代產(chǎn)品相比，這些模塊在相同尺寸下，將功率密度提升了32%，能效提升了0.1%，使光伏逆變器的系統(tǒng)總功率從320kW提升至350kW。

樹立效率與可靠性的新標(biāo)桿

安森美的混合F5BP PIM結(jié)合FS7 IGBT與EliteSiC二極管技術(shù)，與上一代產(chǎn)品相比，可降低高達(dá)8%的功率損耗和10%的開(kāi)關(guān)損耗。其先進(jìn)的直接鍵合銅（DBC）基板設(shè)計(jì)可最大限度減少雜散電感，并將散熱片的熱阻降低9.3%。開(kāi)關(guān)損耗和熱阻的共同降低，使系統(tǒng)在相同重量和功率密度下，整體功率較上一代設(shè)計(jì)提升高達(dá)32%。搭配優(yōu)化的電氣布局與創(chuàng)新的底板設(shè)計(jì)，為系統(tǒng)帶來(lái)更優(yōu)的熱管理性能。這些改進(jìn)共同實(shí)現(xiàn)更出色的系統(tǒng)性能并提升長(zhǎng)期可靠性。

與上一代模塊相比，安森美最新的基于FS7的混合PIM通過(guò)降低開(kāi)關(guān)損耗和熱阻，用于上能電氣的新一代430kW組串式儲(chǔ)能系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)了以下系統(tǒng)級(jí)提升：

• 基于基準(zhǔn)測(cè)試中已驗(yàn)證的模塊級(jí)能效提升，往返效率（RTE）提升0.75%
• 輔助功耗降低5%，從而減少整體運(yùn)營(yíng)成本
• 更高的功率密度，可減少所需模塊數(shù)量和器件成本
• 在高負(fù)載下保持更低運(yùn)行溫度，可靠性更高

助力可再生能源電網(wǎng)更穩(wěn)定可靠

“公用事業(yè)級(jí)運(yùn)營(yíng)商正致力于在相同占位下提升輸出功率，同時(shí)降低生命周期成本。將安森美F5BP封裝混合模塊集成到我們的430kW儲(chǔ)能系統(tǒng)和320kW逆變器平臺(tái)，使我們?cè)谔嵘到y(tǒng)功率密度與轉(zhuǎn)換效率方面實(shí)現(xiàn)雙重突破：更高的功率密度帶來(lái)系統(tǒng)額定功率提升，轉(zhuǎn)換效率的提升能夠在GW級(jí)規(guī)模上產(chǎn)生顯著的累積效應(yīng)。這不僅為產(chǎn)品開(kāi)發(fā)帶來(lái)切實(shí)的成本節(jié)省，也助力構(gòu)建更穩(wěn)定、可調(diào)度的可再生能源電網(wǎng)。”——上能電氣研發(fā)總經(jīng)理孫建峰先生表示。

“開(kāi)發(fā)人員亟需能夠適配現(xiàn)有布局、簡(jiǎn)化熱設(shè)計(jì)并減少能量損耗的解決方案。我們的F5BP模塊結(jié)合FS7 IGBT與EliteSiC二極管，在不增加占位的情況下，提升了轉(zhuǎn)換效率與功率密度，使系統(tǒng)在相同尺寸下可實(shí)現(xiàn)更高的功率等級(jí)，助力公用事業(yè)級(jí)光伏和儲(chǔ)能場(chǎng)站能夠在現(xiàn)有設(shè)施基礎(chǔ)上提升輸出，同時(shí)提高可靠性并降低整個(gè)生命周期的運(yùn)營(yíng)成本。”——安森美電源部IGBT副總裁兼總經(jīng)理Sravan Vanaparthy表示。