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2025年12月9日，致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NCP5156x芯片的雙通道隔離驅(qū)動(dòng)IC評(píng)估板方案。

圖示1-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的IC評(píng)估板方案的展示板圖

當(dāng)前，新能源及工業(yè)驅(qū)動(dòng)市場正面臨高功率密度與高可靠性要求的雙重挑戰(zhàn)。隨著碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的普及，高頻應(yīng)用帶來的開關(guān)損耗、電磁干擾及安全隔離問題日益凸顯。大聯(lián)大世平基于onsemi NCP5156x芯片推出雙通道隔離驅(qū)動(dòng)IC評(píng)估板方案，憑借其4.5A/9A的強(qiáng)大驅(qū)動(dòng)能力和5kVRMS的高等級(jí)電氣隔離性能，有效提升了系統(tǒng)的開關(guān)效率與運(yùn)行穩(wěn)定性。

圖示2-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的IC評(píng)估板方案的場景應(yīng)用圖

NCP5156x是onsemi旗下一款高性能雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，專為驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和SiC MOSFET的快速開關(guān)應(yīng)用而優(yōu)化。該器件具備4.5A拉電流和9A灌電流的峰值驅(qū)動(dòng)能力，能夠有效滿足高頻開關(guān)應(yīng)用對(duì)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的嚴(yán)苛需求。

NCP5156x具有卓越的時(shí)序特性，其傳播延遲短且通道間匹配度高，有助于提升系統(tǒng)效率并減少開關(guān)損耗。在安全隔離方面，器件提供了輸入與輸出之間高達(dá)5kVRMS的電氣隔離強(qiáng)度，并支持高達(dá)1500VDC的工作電壓，為高壓應(yīng)用場景提供可靠保障。

該驅(qū)動(dòng)器支持靈活的配置方式，可適配多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，包括兩個(gè)低側(cè)驅(qū)動(dòng)、兩個(gè)高側(cè)驅(qū)動(dòng)或帶可編程死區(qū)時(shí)間的半橋驅(qū)動(dòng)。通過ENA/DIS引腳可實(shí)現(xiàn)雙通道的啟用或停用控制，簡化了系統(tǒng)管理。此外，NCP5156x還集成了完善的保護(hù)功能，包括獨(dú)立的柵極驅(qū)動(dòng)器欠壓鎖定（UVLO）和可調(diào)節(jié)的死區(qū)時(shí)間控制，進(jìn)一步增強(qiáng)系統(tǒng)的可靠性和安全性。

針對(duì)5kVRMS隔離需求，評(píng)估板采用NCP51561高性能隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，為功率器件提供穩(wěn)定可靠的驅(qū)動(dòng)支持。設(shè)計(jì)指南詳盡囊括操作流程、接口定義、電路原理圖、PCB布局規(guī)范及完整物料清單（BOM），助力工程師快速完成系統(tǒng)設(shè)計(jì)與驗(yàn)證。評(píng)估板全面支持NCP51561xyDWR2G、NCV51561xyDWR2G、NCP51560xyDWR2G、NCP51563xyDWR2G和NCV51563xyDWR2G等多個(gè)系列芯片的性能評(píng)估。

圖示3-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的IC評(píng)估板方案的的方塊圖

為針對(duì)光伏逆變器、電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)、工業(yè)電機(jī)及云服務(wù)器電源等高壓應(yīng)用場景，評(píng)估板提供了完整的技術(shù)解決方案。它集成了高性能隔離驅(qū)動(dòng)與完善的保護(hù)機(jī)制，可有效應(yīng)對(duì)高頻開關(guān)損耗、電磁干擾及安全隔離等設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。通過提供經(jīng)過驗(yàn)證的參考設(shè)計(jì)、優(yōu)化布局方案及完整物料清單，顯著降低研發(fā)門檻，助力客戶加速產(chǎn)品上市進(jìn)程，為高可靠性功率系統(tǒng)提供技術(shù)支撐。

核心技術(shù)優(yōu)勢：

    設(shè)計(jì)靈活性好：可用于雙低側(cè)、雙高側(cè)或半橋閘極驅(qū)動(dòng)：

    兩個(gè)輸出驅(qū)動(dòng)器均具有獨(dú)立的UVLO保護(hù)；

    輸出電源電壓范圍為6.5V至30V，其中驅(qū)動(dòng)電壓5V、8V用于一般MOSFET、13V和17V用于SiC MOS；

    4.5A峰值拉電流（Sink）、9A峰值灌電流（Source）輸出；

    共模瞬態(tài)抗擾度CMTI >200V/ns；

    傳播延遲典型值為36ns。

    每個(gè)通道有5ns最大延遲匹配，5ns最大脈寬失真：

    使用者可程式輸入邏輯通過ANB的單輸入或雙輸入模式（僅限NCP51561/563）啟用或停用模式；

    3V至5.0V VDD電源范圍，最高30V VCCA/VCCB電源范圍；

    4.5A和9A拉電流/灌電流驅(qū)動(dòng)能力；

    TTL兼容輸入；

    允許輸入電壓高達(dá)18V，適用于INA、INB、和ANB腳位；

    用于死區(qū)時(shí)間的板載微調(diào)電位器程式設(shè)計(jì)；

    用于INA、INB和ENA/DIS的3位接頭引腳；

    2位接頭，用于ANB引腳；

    支持MOSFET和SiC半橋測試。

    連接到外部功率級(jí)MOSFET，輸入電壓：600V-800VDC（最大允許900VDC）。

方案規(guī)格：

    電源電壓：輸入側(cè)VDD 3.0V（最小）-5.0V（最大）；

    電源電壓：驅(qū)動(dòng)器側(cè)如下可選：

    b1：5V UVLO版本VCCA、VCCB：6.5V（最小）-30V（最大）；

    b2：8V UVLO版本VCCA、VCCB：9.5V（最小）-30V（最大）；

    b3：13V UVLO版本VCCA、VCCB：14.5V（最小）-30V（最大）；

    b4：17V UVLO版本VCCA、VCCB：18.5V（最小）-30V（最大）；

    INA、INB和ANB接腳上的邏輯輸入電壓VIN：0V（最小）-18V（最大）；

    ENA/DIS VEN腳位上的邏輯輸入電壓：0V（最小）-5.0V（最大）；

    工作溫度Tj：−40℃（最小）-+125℃（最大）。