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在幾乎所有電機驅動、電動汽車、快速充電器和可再生能源系統(tǒng)中，都會配備低功耗輔助電源。雖然相比于主要的功率級，此類電源通常受到的關注較少，但它們?nèi)允菐椭到y(tǒng)高效運行的關鍵組成部分。提高系統(tǒng)可靠性、減小系統(tǒng)尺寸以及縮減系統(tǒng)成本，同時最大限度地降低風險并支持多源采購——設計人員不斷面臨這些經(jīng)常相互矛盾的挑戰(zhàn)。

Wolfspeed 推出的工業(yè)級 C3M0900170x 和獲得車規(guī)級認證 (AEC-Q101) 的 E3M0900170x 碳化硅 MOSFET 產(chǎn)品系列，可在 20 至 200 W 范圍內(nèi)增強輔助電源的設計能力。這些電源可再生能源、工業(yè)電機控制和車輛電氣化等快速增長的市場變得越來越重要。依托 Wolfspeed 可靠的第三代碳化硅技術，并在行業(yè)領先的 200 mm 制造工廠獨家制造，該產(chǎn)品系列使得工程師能夠重新考慮如何解決低功耗輔助電源系統(tǒng)設計時的各種權衡取舍的問題。

除了 TO-247-3 (D) 和 TO-263-7 (J) 封裝外，Wolfspeed 產(chǎn)品組合還增加了一種新型的用以支持工業(yè)應用全模塑封裝 TO-3PF (M)。此封裝通過避免使用絕緣熱界面材料，從而降低了組裝成本和發(fā)生錯誤的風險。另外，TO-3PF (M) 封裝通過將引腳之間的最小爬電增加到 4.85 mm，并且避免了外露的漏極板，從而提高了產(chǎn)品在惡劣環(huán)境下的穩(wěn)健性。

更高的性能和即插即用能力

相比先前的 C2M 1700 V 系列和競品，Wolfspeed 的 C3M 和 E3M SiC MOSFET 技術帶來了多項改進。在新推出的 C3M / E3M 系列中，柵極電荷從 C2M 等效器件中的 22 nC 降低至僅 10 nC，減少了柵極驅動的功率需求，簡化了反激式電源中的啟動操作。此外，還降低了輸出電容，使得 Eoss 降低了 30%，從而減少了開關損耗。

實現(xiàn)系統(tǒng)級改進并非總是那么容易，因為更改設計可能需要集中時間和資源。在大多數(shù)現(xiàn)有低功耗輔助電源設計中，Wolfspeed 新系列 900 mΩ 碳化硅 MOSFET 都具備即插即用的兼容性，使您能夠充分發(fā)揮新器件的優(yōu)勢，而無需進行大量的的重新設計工作。從封裝角度來看，TO-247-3（通孔封裝）和 TO-263-7（表面貼裝）與當今市面上的其他碳化硅和硅器件兼容，無需更改 PCB 布局或散熱器附件。

許多輔助電源都配有 12 - 15 V 輸出，用于運行其他控制或負載。C3M / E3M 系列可以直接將此電壓軌用于反激式控制器和由此產(chǎn)生的柵極電壓，無需使用單獨的輔助繞組或變壓器分接頭，即可提供前幾代和某些競品所需的更高 18 - 20 V 電壓。

硅和碳化硅 MOSFET 競品的柵極電壓水平范圍從 12 V 到 20 V 不等，加劇了設計人員在多源設計方面的挑戰(zhàn)。幸運地是，Wolfspeed C3M0900170x 系列可直接支持 12 - 18 VGS。得益于優(yōu)化調(diào)整的內(nèi)部柵極電阻，Wolfspeed 器件可在高達 22 VGS 的電路條件下工作。在柵極電壓 > 18 V 的設計中，可以使用齊納二極管代替外置柵極電阻，將驅動電壓降低至 12 - 18 V 范圍以內(nèi)。

將 RG_EXT 替換為 3.3 V 齊納二極管，以降低 MOSFET 柵極處的 VGS

升級硅基系統(tǒng)時的性能改進

雖然高壓 (1500 - 2000 V) 硅 MOSFET 也可用于此系統(tǒng)空間；但缺點是，由于1 - 2 Ω 器件每單位面積 RDS(ON) 較高，造成價格往往比較昂貴，并且損耗較高。取而代之地是，可以利用雙開關反激式拓撲來選擇較低電壓的硅器件。雖然此類器件比較便宜，但雙開關拓撲的設計更加復雜，需要更多組件和空間。

碳化硅 MOSFET 非常適合此類電壓等級，并可輕松實現(xiàn)適用于輔助電源應用的低 RDS(ON)和低開關損耗。設計人員能夠利用單開關反激式拓撲，這可以消除了雙開關設計所需的額外電路和設計復雜性。

雙開關拓撲需要更多組件和額外的 PCB 面積

采用碳化硅 MOSFET 的簡化單開關設計節(jié)省了空間和成本。

面向所有應用的耐用性設計

在許多需要長壽命和可靠運行的工業(yè)和汽車應用中，都能發(fā)現(xiàn)輔助電源的身影。C3M / E3M 系列額定工作結溫為 -55 °C 至 +175 °C，使得其適用于極端溫度條件。C3M0900170D、C3M0900170J 和 E3M0900170D 均通過 THB-80 (HV-H3TRB) 測試，其測試條件為85% 濕度、85 °C 環(huán)境溫度下施加1360 V 阻斷電壓進行持續(xù) 1000 小時的測試。

在討論半導體在不同應用中的耐受性時，必須考慮宇宙輻射引起的失效率（FIT）。Wolfspeed C3M / E3M 系列通過改進器件設計和減小芯片尺寸，進一步降低了舊有 C2M 系列本已很低的失效率（FIT）。與上一代相比，使用 Wolfspeed 第三代器件的典型 1200 V母線電壓反激電路在海平面連續(xù)運行 10 年后，失效率（FIT） 降低了 65%。

啟動碳化硅系統(tǒng)開發(fā)的設計資源

Wolfspeed 在為工程師提供設計支持方面處于行業(yè)領先地位，而新推出的 1700 V 系列部件亦不例外。請查看下面的資源，使用這一新的 C3M / E3M 系列 900 mΩ 1700 V 器件加速您的設計。

CRD-020DD17P-J 參考設計：20 W 60 - 1000 V 輸入?yún)⒖荚O計，其中完整的設計文件可供下載。更多信息，敬請訪問，

https://www.wolfspeed.com/products/power/reference-designs/crd-020dd17p-j/

KIT-CRD-025DD17P-J 評估板：25 W 60 - 1000 V 輸入評估板（帶設計文件）。該評估板采用與上述參考設計類似的電路，但布局更簡單，以方便在實驗室中進行測試和原型設計。更多信息，敬請訪問，

https://www.wolfspeed.com/products/power/evaluation-kits/kit-crd-025dd17p-j/

器件模型：PLECS 和 SPICE 模型可供下載，幫助在測試之前進行仿真工作。更多信息，敬請訪問，

https://www.wolfspeed.com/tools-and-support/power/ltspice-and-plecs-models/

產(chǎn)品樣品：敬請訪問我們的網(wǎng)站，申請樣品，以開始您的設計，或在您現(xiàn)有的產(chǎn)品中試用樣品，以評估性能。更多信息，敬請訪問，

https://www.wolfspeed.com/tools-and-support/sample-center/

功率應用在線討論平臺：加入我們的技術社區(qū)，就您在設計中遇到的任何問題或面臨的任何挑戰(zhàn)咨詢我們的碳化硅專家。更多信息，敬請訪問，

https://forum.wolfspeed.com/

關于 Wolfspeed 1700V 碳化硅 MOSFET 更多信息，敬請訪問，

https://www.wolfspeed.com/products/power/sic-mosfets/1700v-silicon-carbide-mosfets/

英文原文鏈接如下，

https://www.wolfspeed.com/knowledge-center/article/reimagine-auxiliary-power-supply-system-durability-cost-with-wolfspeed-1700v-mosfet-technology/