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　　中國 上海，2015年6月15日–上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會（PCIM Asia 2015 ）將于2015年6月24日至26日在上海世博展覽館舉辦。日本半導(dǎo)體制造商株式會社東芝（Toshiba）旗下東芝半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司將以其“Human Smart Community by lifenology - the technology life requires （智社會，人為本，以科技應(yīng)人類之求）”的企業(yè)理念，于4號廳A18展位展示多款電力領(lǐng)域節(jié)能環(huán)保的功能器件與專利技術(shù)，展出產(chǎn)品包括其IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor） 專利產(chǎn)品、MOSFET、光耦產(chǎn)品以及IPD + MCU電機(jī)驅(qū)動方案等。

　　隨著能源危機(jī)制約著現(xiàn)代社會的發(fā)展，開發(fā)和利用可再生能源是人類立早自身解決能源問題的重要舉措之一。東芝作為能源領(lǐng)域引領(lǐng)者，自1875年創(chuàng)始之際堅信使命，秉持“Human Smart Community（智社會人為本）”企業(yè)理念：以創(chuàng)新的科技服務(wù)于社會，并為創(chuàng)造一個舒適美好的人類生活環(huán)境而不懈努力。目前，“能源”（包含能源生成及再利用、輸配電等）已成為了東芝三大支柱產(chǎn)業(yè)之一，以期面對全球化亟待解決的復(fù)雜課題。

　　在本次2015年P(guān)CIM Asia展覽上，IEGT作為東芝半導(dǎo)體的專利產(chǎn)品參展。其通過采取“注入增強(qiáng)結(jié)構(gòu)（IE：Injection Enhanced）”實(shí)現(xiàn)了低通態(tài)電壓，有效地實(shí)現(xiàn)了大功率變頻器的節(jié)能，且其優(yōu)勢隨著電力市場項目功率等級和電壓等級的不斷提高，逐步得到了體現(xiàn)和認(rèn)可。目前，東芝半導(dǎo)體的IEGT主要應(yīng)用于柔性高壓直流輸電（HVDC）、新能源、牽引、中高壓變頻器等特大功率電力領(lǐng)域。現(xiàn)在國內(nèi)市場上已經(jīng)有以東芝的IEGT作為核心器件成功運(yùn)行項目。并且，為了更好的滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域的具體需求，東芝半導(dǎo)體專門推出了不同封裝的IEGT產(chǎn)品，適用于高速EMU的3.3kV PMI封裝（塑封模塊）的IEGT、適用于重型EL的4.5kV PMI封裝的IEGT、適用于電力機(jī)車驅(qū)動要求尺寸小、重量輕并節(jié)能降耗的3.3kV/1.5kV碳化硅混合模塊封裝IEGT以及適用于大功率節(jié)能的4.5kV/3.3kV PPI封裝（壓接式封裝）的IEGT。

　　在光耦方面，東芝半導(dǎo)體將展出應(yīng)用于IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動的光耦，其可以保證高達(dá)40kV/µs的共模抑制（CMR）。這些光耦非常適合應(yīng)用于像逆變器和伺服器等在電噪聲環(huán)境中的安裝應(yīng)用。

　　東芝半導(dǎo)體在MOSFET方面已擁有十余年的開發(fā)與生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，能夠提供具有各種電路結(jié)構(gòu)和封裝的低VDSS和中/高VDSS MOSFET 廣泛產(chǎn)品組合，并采用最新的工藝技術(shù)提高開關(guān)電源的功率。

　　在本次展覽上，東芝半導(dǎo)體還將展出智能模塊IPD與專用驅(qū)動芯片MCD相結(jié)合的BLDC馬達(dá)解決方案——具有良好的系統(tǒng)穩(wěn)定性和豐富的系統(tǒng)保護(hù)功能，并能夠?qū)崿F(xiàn)零速和順逆風(fēng)啟動。

　　2015年，東芝公司即將迎來創(chuàng)建140周年紀(jì)念，在“智社會 人為本”的全新企業(yè)理念指引下，東芝將繼續(xù)以領(lǐng)先的技術(shù)、產(chǎn)品和高品質(zhì)服務(wù)，推動節(jié)能環(huán)保與可持續(xù)發(fā)展事業(yè)，為人類打造安心、安全、舒適的智能社會，持續(xù)為推動社會進(jìn)步做出貢獻(xiàn)。