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4月21日全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）宣布，開發(fā)出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，該產(chǎn)品非常適用于xEV（電動(dòng)汽車）用牽引逆變器*等汽車電動(dòng)動(dòng)力總成系統(tǒng)以及AI服務(wù)器電源和數(shù)據(jù)中心等工業(yè)設(shè)備的電源。

ROHM在開發(fā)第5代SiC MOSFET的過程中，通過改進(jìn)器件結(jié)構(gòu)并優(yōu)化制造工藝，與以往的第4代產(chǎn)品相比，成功地將功率電子電路實(shí)際使用環(huán)境中備受重視的高溫工作時(shí)（Tj=175℃）的導(dǎo)通電阻降低約30%（相同耐壓、相同芯片尺寸條件下比較）。在xEV用牽引逆變器等需要在高溫環(huán)境下使用的應(yīng)用中，該產(chǎn)品有助于縮小單元體積，提高輸出功率。

第5代SiC MOSFET已于2025年起先行提供裸芯片樣品，并于2026年3月完成開發(fā)。

另外，ROHM計(jì)劃從2026年7月起開始提供配有第5代SiC MOSFET的分立器件和模塊的樣品。未來(lái)，ROHM將進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，同時(shí)完善設(shè)計(jì)工具，并強(qiáng)化針對(duì)應(yīng)用產(chǎn)品設(shè)計(jì)的支持體系。

＜開發(fā)背景＞

近年來(lái)，在工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，隨著生成式AI和大規(guī)模數(shù)據(jù)處理技術(shù)的普及，用于AI處理等的高性能服務(wù)器的引進(jìn)速度不斷加快。由于這類應(yīng)用的功率密度不斷提高，引發(fā)了業(yè)界對(duì)電力系統(tǒng)負(fù)荷加重以及局部供需緊張的擔(dān)憂。作為解決這一難題的對(duì)策，將太陽(yáng)能等可再生能源與供電網(wǎng)絡(luò)等相結(jié)合的智能電網(wǎng)備受關(guān)注，但能源轉(zhuǎn)換和蓄電過程中的損耗降低仍是一大挑戰(zhàn)。在車載領(lǐng)域的下一代電動(dòng)汽車中，除了延長(zhǎng)續(xù)航里程和提升充電速度之外，還要求進(jìn)一步降低逆變器損耗、提升OBC（車載充電器）性能。因此，在上述數(shù)千瓦到數(shù)百千瓦級(jí)大功率應(yīng)用中，能夠?qū)崿F(xiàn)損耗降低與高效化兼顧的SiC器件正在加速普及。

ROHM于2010年在全球率先開始量產(chǎn)SiC MOSFET，并很早就推出了符合車規(guī)級(jí)可靠性標(biāo)準(zhǔn)（AEC-Q101）的產(chǎn)品群，通過將SiC廣泛應(yīng)用于各種大功率應(yīng)用中，助力降低能源損耗。此外，第4代SiC MOSFET于2020年6月開始提供樣品，并在SiC的普及階段就推出了分立器件和模塊等豐富多樣的產(chǎn)品陣容，目前已在全球車載設(shè)備和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。此次ROHM開發(fā)出的第5代SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低損耗，將進(jìn)一步擴(kuò)大SiC的應(yīng)用領(lǐng)域。

未來(lái)，ROHM計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)充第5代SiC MOSFET的耐壓和封裝陣容，同時(shí)，通過推動(dòng)已進(jìn)入普及階段的SiC在各個(gè)領(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用，為提高各種大功率應(yīng)用的電能利用效率持續(xù)貢獻(xiàn)力量。