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當人工智能重塑全球算力格局，半導體產(chǎn)業(yè)正在經(jīng)歷60年來最深刻的一次技術(shù)躍遷。從存儲器的三維堆疊到邏輯芯片的埃級制程，這一次工藝演進的背后，也離不開制造設備的同步革新。在這場產(chǎn)業(yè)變革中，半導體設備巨頭Tokyo Electron（TEL）的身影愈發(fā)關鍵。TEL不僅以92%的涂膠顯影設備市占率領跑光刻工藝配套領域，更以覆蓋成膜、刻蝕、清洗、鍵合等核心工藝的完整產(chǎn)品矩陣，深度嵌入全球主流晶圓廠的生產(chǎn)流程之中。

強大產(chǎn)品力奠定領先地位

TEL的技術(shù)版圖圍繞前道制造中最核心的四大工藝展開：成膜、涂膠顯影、刻蝕、清洗。在這四個領域，TEL的全球市場份額均處于第一或第二的位置，且每一條產(chǎn)品線背后都有具體的技術(shù)突破作為支撐。同時，TEL還以全球第一的晶圓探針設備市占率和全球第二的晶圓鍵合設備市占率，將產(chǎn)品觸角延伸至晶圓測試與封裝互連領域，形成從前道制造到后道集成的全鏈條能力。

涂膠顯影是TEL產(chǎn)品最具影響力的領域。TEL在這一細分市場排名全球第一， 其中EUV曝光工藝配套的涂膠顯影設備市占率達100%，與ASML的EUV光刻機形成深度技術(shù)綁定。旗艦產(chǎn)品CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ Z已成為全球主流晶圓廠光刻工藝的標準配置。在此基礎上，TEL還推出了Ultimate Wet Development技術(shù)。作為現(xiàn)有涂膠顯影技術(shù)的延伸，該技術(shù)與現(xiàn)有設備高度兼容，已率先在D1b DRAM節(jié)點實現(xiàn)量產(chǎn)導入，并正在向D1c DRAM及更先進節(jié)點推進評估。

刻蝕是近年來TEL重點突破、成效顯著的領域。在等離子刻蝕和氣相化學刻蝕兩大方向上，TEL分別確立了全球第二和全球第一的市場地位。刻蝕設備的核心競爭力，在于對氣體供給、副產(chǎn)物排出與能量垂直傳導三大參數(shù)的精細調(diào)控。TEL通過將方波與脈沖參數(shù)相結(jié)合，針對客戶具體的器件結(jié)構(gòu)提供高度定制化的解決方案，在導體刻蝕與介電質(zhì)刻蝕兩個主要細分方向上均已形成扎實的技術(shù)競爭力。代表性產(chǎn)品Tactras™和Episode™ UL覆蓋了從普通刻蝕到高深寬比刻蝕的廣泛應用場景。

TEL在批處理沉積設備領域排名全球第一，金屬沉積設備位居全球第二。旗下產(chǎn)品線涵蓋TELINDY PLUS™、NT333™、Episode™1等，覆蓋從氧化擴散、化學氣相沉積到原子層沉積的多種工藝路徑。面向下一代制程，TEL正積極布局PECVD和PVD市場，通過切入晶體管形成階段的接觸間隔層工藝、下一代互連的金屬間隙填充，以及可有效降低寄生電容的氣隙技術(shù)，在更先進的制程節(jié)點上完成提前布局。

清洗設備方面，TEL同樣排名全球第一，代表性產(chǎn)品Certas LEAGA™與CELLESTA™已在業(yè)內(nèi)建立廣泛的客戶基礎。在新產(chǎn)品布局上，TEL推出的ZEXSTA™清洗系統(tǒng)專為3D NAND制造中的氮化硅去除工藝而設計。隨著DRAM從2D向3D結(jié)構(gòu)演進、清洗工藝步數(shù)持續(xù)增加，ZEXSTA™的應用范圍有望從特定工藝步驟延伸至更廣泛的清洗與精細濕法刻蝕場景，進一步擴大TEL在清洗市場的領先優(yōu)勢。

截至2025年12月，TEL全球累計出貨設備已達99,000臺，年出貨量維持在4,000至6,000臺的規(guī)模，規(guī)模效應進一步強化了其在工藝服務與客戶支持方面的持續(xù)優(yōu)勢。

卡位3D集成時代

半導體產(chǎn)業(yè)正在經(jīng)歷一場深刻的結(jié)構(gòu)性變革，從平面擴展走向立體堆疊，晶圓鍵合技術(shù)由此成為推動下一代先進封裝和存儲器件發(fā)展的關鍵工藝。TEL預計，從2025年到2030年，鍵合設備的潛在市場年復合增長率將高達約24%，到2030年市場規(guī)模將達到3000億日元，增速遠超整體晶圓制造設備市場。目前，TEL在鍵合設備市場的份額已超過20%，并在CMOS圖像傳感器和高帶寬存儲器（HBM）領域積累了豐富的量產(chǎn)交付經(jīng)驗，這是其進一步拓展市場的堅實基礎。

在技術(shù)方向上，TEL正積極推進熔融鍵合（Fusion Bonding）與銅混合鍵合（Cu Hybrid Bonding）兩大路線的開發(fā)，并處于行業(yè)前列。核心設備Synapse™ Si晶圓鍵合機已廣泛應用于晶圓對晶圓（W2W）工藝，將前道工藝中積累的等離子處理能力與高潔凈度清洗技術(shù)有機融入鍵合系統(tǒng)。

激光相關產(chǎn)品線亦在持續(xù)完善，激光修整系統(tǒng)Ulucus™ L與激光剝離系統(tǒng)Ulucus™ LX正配合客戶的量產(chǎn)計劃推進評估與認證，目標應用覆蓋先進邏輯/代工、3D NAND及DRAM等主流場景。

業(yè)界一致認為，晶片級先進封裝的應用空間將在未來5至10年內(nèi)顯著擴大，屆時后道先進封裝將與前道工藝共同成為半導體性能提升的重要驅(qū)動力。TEL將緊隨這一技術(shù)趨勢適時擴展業(yè)務邊界。值得關注的是，先進封裝設備的毛利率與前道設備基本相當，這意味著鍵合業(yè)務的持續(xù)成長，將成為TEL整體盈利能力提升的重要支撐。

持續(xù)的關注和投入是創(chuàng)新的底座

2025財年，TEL實現(xiàn)凈銷售額約2.4315萬億日元，營業(yè)利潤率達28.7%，營業(yè)利潤突破6973億日元，交出了一份頗具分量的成績單。著眼未來，公司中期經(jīng)營計劃將2027財年的凈銷售額目標鎖定為3萬億日元、營業(yè)利潤率35%。一旦實現(xiàn)，營業(yè)利潤將突破1萬億日元大關。這一目標的背后，折射出公司對自身技術(shù)競爭力的高度自信。

支撐這種信心的是過去十年間持續(xù)累積、從未間斷的研發(fā)投入。2026財年，TEL研發(fā)支出預計將達2900億日元，資本支出高達2400億日元，兩項合計規(guī)模在同業(yè)中首屈一指。放眼2025至2029財年的五年規(guī)劃，研發(fā)投資目標合計1.5萬億日元、資本支出7000億日元，并計劃以每年約2000人的節(jié)奏新增員工10000人。人才、資金與基礎設施的同步擴張，體現(xiàn)的是TEL為下一個技術(shù)周期所做的全面布局，而非單純的產(chǎn)能擴張。

這份底氣，在產(chǎn)品層面已有具體呈現(xiàn)。TEL今日展示的一系列新技術(shù)與新產(chǎn)品，正是過去十年持續(xù)研發(fā)投資的集中成果。更重要的是，TEL提前介入客戶需求、預判技術(shù)路徑的能力也已大幅提升，從早期階段便深度參與客戶的工藝開發(fā)，而非等待需求明確后再做響應。正是沿著這條以研發(fā)為引擎、以工藝突破為錨點的路徑，TEL完成了自身實力的躍升。

穩(wěn)健經(jīng)營，扎根中國

中國市場在TEL的全球業(yè)務版圖中始終占有重要地位。從各季度的區(qū)域銷售數(shù)據(jù)來看，中國業(yè)務占比長期維持在34%至49%之間。2026財年第三季度（截至2025年12月），中國區(qū)銷售額約占當季總收入的31.8%，位居各區(qū)域之首。

TEL在中國的運營布局十分完善。公司以上海為中國區(qū)總部，在昆山設立制造中心，并在北京、西安、南京、武漢、無錫、合肥、深圳、成都等主要城市均設有銷售與現(xiàn)場服務基地，構(gòu)建起覆蓋廣泛、響應及時的本地化支持體系。

在針對中國市場的產(chǎn)品策略上，TEL依托廣泛的產(chǎn)品組合和成熟的本地化服務能力，持續(xù)推進工藝認證與量產(chǎn)導入。面向中國半導體產(chǎn)業(yè)成熟制程大規(guī)模擴產(chǎn)的現(xiàn)實需求，TEL正重點推廣氣團束工藝設備UltraTrimmer Plus，該設備能夠精準應對晶圓邊緣修整的精細化要求，在提升量產(chǎn)穩(wěn)定性方面具有切實價值，契合中國客戶當前階段對良率與工藝一致性的核心訴求。

TEL對中國市場的持續(xù)投入，是其全球運營、本地服務長期戰(zhàn)略的自然延伸。面對復雜多變的外部環(huán)境，TEL選擇以技術(shù)實力和服務質(zhì)量作為立身之本，與中國半導體產(chǎn)業(yè)維系深度合作關系，在不確定性中尋求穩(wěn)定的發(fā)展路徑。

結(jié)語

夯實技術(shù)根基、卡位新興的鍵合市場、深度經(jīng)營中國這一全球最具增量潛力的市場。這三條主線共同構(gòu)成了TEL當下清晰的戰(zhàn)略坐標。在人工智能驅(qū)動算力基礎設施高速擴張的時代背景下，作為連接芯片設計與物理制造的關鍵一環(huán)，TEL正以更扎實的技術(shù)積累和更完整的產(chǎn)品布局，與客戶攜手應對半導體創(chuàng)新所帶來的每一個新挑戰(zhàn)。