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三菱電機株式會社近日（2025年1月14日）宣布，將于2月15日起開始提供新型工業用LV100封裝1.2kV IGBT模塊樣品，適用于太陽能和其他可再生能源發電系統。該模塊采用第8代絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）芯片，有助于降低太陽能發電系統、儲能電池等電源系統中逆變器的功率損耗，提高逆變器的輸出功率。

工業用LV100封裝1.2kV IGBT模塊（CM1800DW-24ME）

該模塊將在第39屆電子研發、制造和封裝技術博覽會（NEPCON JAPAN 2025；1月22-24日，東京國際展覽中心）以及北美、歐洲、中國等地的展覽上展出。

近年來，作為能夠降低碳排放的關鍵器件，功率半導體的需求正在增加。功率半導體模塊可以用于可再生能源的功率轉換設備，比如太陽能發電和儲能電池等電源系統的逆變器。為了實現低碳社會，提高電源系統的發電和儲能效率以及降低系統功耗變得日益重要，因此要求功率半導體模塊具有更高的轉換效率和輸出功率。

三菱電機自1990年推出搭載IGBT的功率半導體模塊以來，在消費、汽車、工業和鐵路領域得到了廣泛應用，以優異的性能和高可靠性受到高度評價。現已開發出的第8代IGBT，具有獨特的分離式柵極溝槽（SDA1）和可以控制載流子的等離子體層（CPL2）結構。

與現有產品3相比，采用第8代IGBT芯片的新型LV100封裝1.2kV模塊可將太陽能發電系統、儲能電池等逆變器的功耗降低約15%4。此外，通過優化IGBT和二極管芯片布局，實現了1800A的額定電流，是上述現有產品的1.5倍，有助于提高逆變器的輸出功率。此外，該模塊的傳統封裝易于并聯連接，可以兼容多種功率等級的逆變器設計。

隨著對功率半導體需求的增加，三菱電機期待在各個領域降低電力電子設備的能耗，并快速穩定地提供此類產品，以支持綠色轉型（GX）。

產品特點

搭載第8代IGBT，使逆變器功率損耗降低15%

與第7代IGBT相比，獨特的SDA結構有助于抑制dv/dt5，并實現更高的開關速度，有望降低導通開關損耗。

獨特的CPL結構抑制了關斷浪涌電壓，與第7代IGBT相比芯片更薄。

通過將額定電流提高到1800A，有助于提高逆變器的輸出功率

優化的芯片布局實現了1800A的額定電流，是現有產品3的1.5倍。

利用現有的LV100封裝簡化并聯設計

采用現有封裝簡化了并聯設計，可以兼容多種功率等級的逆變器設計。使用現有封裝簡化了現有產品的替換，縮短了逆變器的設計過程。