一、 特性：
● 雙全橋MOSFET驅動，低導通電阻Ron＝0.55Ω
● 最高耐壓36VDC，峰值電流2.2A，工作電流1.5A
● 多種細分可選（1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128）
● 自動半流鎖定功能
● 快衰、慢衰、混合式衰減三種衰減方式可選
● 內置溫度保護及過流保護
● 內置1通道PWM電流控制步進電機驅動電路
● BiCDMOS工藝IC
● 可選擇2、1-2、W1-2、2W1-2、4W1-2、8W1-2、16W1-2、32W1-2相勵磁
● 僅需Step信號輸入就可以進行Step勵磁
● 正反控制均可
● 內置TSD電路
● 內置輸入下拉電阻入力
● 附有Reset、Enable端子
二、 管腳圖：
三、 管腳說明：
四、 電器參數(shù)：
1、 最高額定值Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
2、 正常運行參數(shù)范圍Operating Range (Ta = 30 to 85°C)
3、 電器特性Electrical Characteristics (Ta = 25°C, VREF = 1.5 V, VM = 24 V)
五、 使用說明
1、細分設定（M1、M2、M3）
2、衰減模式設定
PDT為衰減方式控制端，調節(jié)此端電壓可以選擇不同的衰減方式，從而獲得更好的驅動效果。
3、電流設定
VREF電流設定端，調整此端電壓即可設定驅動電流值
Io（100%）=VREF*（1/5）*（1/Rs） Rs為NFA(B)外接檢測電阻
(例)VREF=1.5V、Rs電阻為0.3Ω時，設定電流為：
Iout = (1.5V／5) ／ 0.3Ω = 1.0A
4、待機功能（Standby）
ST/VCC端子為Low時，IC進入待機模式，所有的邏輯被重置，輸出為OFF。ST/VCC端子為High時解除待機模式。
5、CLK脈沖輸入端
6、CW/CCW：電機正反轉控制端
CW/CCW為Low時，電機正轉
CW/CCW為High時，電機反轉
7、RESTER：上電復位端
RESET端子為Low時，輸出為初始模式。勵磁位置不再與CLK、CW/CCW端子關聯(lián)，而被固定在初始位置。初識位置時，MO端子輸出L。(Open Drain連接)
8、ENABLE：使能端
ENABLE端子為Low時，輸出強制OFF，為高阻狀態(tài)。但是，由于內部邏輯電路仍在動作，如果在CLK端子輸入信號，勵磁位置仍在進行。因此，將ENABLE重新置為High時，根據(jù)CLK輸入，遵循進行的勵磁位置的level輸出。
9、DOWN、MO輸出端
輸出端子為Open Drain連接。各端子在設定狀態(tài)下ON，輸出Low Level。
10、斬波頻率設定功能
斬波頻率由OSC1端子端子-GND間連接的電容，依據(jù)下面的公式設定。
Fcp = 1 ／ (Cosc1 / 10×10-6) (Hz)
（例）Cosc1=100pF時，斬波頻率如下。
Fcp = 1 / (100×10-12 / 10×10-6) = 100(kHz)
11、輸出短路保護電路
該IC為防止對電源或對地短路導致IC損壞的情況，內置了短路保護電路，使輸出置于待機模式。檢測出輸出短路狀態(tài)時，短路檢出電路動作，一度輸出OFF。此后，Timer Latch時間（typ:256uS）之后再度輸出ON，如果輸出仍然短路的話，將輸出固定于待機模式。
由輸出短路保護電路動作而使輸出固定于待機模式的場合，通過使ST＝“L”可以解除鎖定。
12、通電鎖定電流切換用Open Drain端子
輸出端子為Open Drain連接，從CLK輸入的一個上升沿脈沖開始，在由OSC2-GND間連接的電容決定的時間以內，下一個CLK的上升沿脈沖沒有輸出時切換為ON，輸出Low Level。一次ON的Open Drain輸出由下一個CLK的上升沿脈沖置為OFF。
保持通電電流切換時間(Tdown)由OSC2端子-GND間連接的電容由如下的公式設定。
Tdown = Cosc2 × 0.4 × 109 (s)
(例)Cosc2=1500pF時，保持通電電流切換時間如下。
Tdown = 1500pF × 0.4 × 109 = 0.6 (s)
六、 參考電路圖
七、 封裝尺寸Package Dimensions
封裝：MFP30KR
